固体レーザアニール装置

固体レーザアニールシステム

特徴

  • 最長1,200nsのパルス幅可変のグリーンレーザを搭載
     Pulse green laser adjustable from pulse duration 250ns to 1200ns
  • 深い領域の活性化
     Deep activation up to 3μm
  • 浅い領域の活性化
     Temperature monitoring (thermal radiation type)
ela_1.jpg レイアウト
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仕様

Laser Asama 80-8
Wavelength 515nm
Pulse duration 250ns-1200ns(Adjustable)
Rep-rate 10kHz
Beam size 3mmx35μm(5J/cm2)
29mmx8μm(2J/cm2)
Wafer size 150mm/200mm/300mm

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ハイブリッド固体レーザアニールシステム

特徴

  • パルス幅可変のグリーン固体レーザと予備加熱用近赤外CWレーザを搭載
     Combination of a pulse-duration-adjustable green laser and a preheating near-infrared laser
  • ドーパントボロンとリンの同時活性化
     Double activation of both B and P dopants
  • 深い領域の活性化
     Deep activation over 3μm for IGBT
  • 深い領域の溶融、再結晶、欠陥低減
     Deep melting, recrystallization, and recovery over a depth of 3μm
  • 低温熱処理
     Low thermal budget annealing process

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