固体レーザアニール装置

近年、半導体デバイスの構造は複雑化しており、製造工程の中において、表面の局所のみの温度を高める熱処理プロセスが必要とされています。当社が開発した固体レーザーアニール装置はこのようなニーズに対応しており、主に高機能イメージセンサ分野で量産装置として使用されています。また、他分野への応用を目的とした研究開発活動にも取り組んでいます。
 

特長

  • 最長1,200nsのパルス幅可変のグリーンレーザを搭載
  • 深い領域の活性化
  • 浅い領域の活性化

仕様

レーザー Asama 80-8
波長 515nm
パルス幅 250ns-1200ns (調整可能)
周波数 10kHz
ビームサイズ 3mmx35μm(5J/cm2)
29mmx8μm(2J/cm2)
ウエハーサイズ 150m / 200mm / 300mm

ハイブリッド固体レーザアニールシステム

特徴

  • パルス幅可変のグリーン固体レーザと予備加熱用近赤外CWレーザを搭載
  • ドーパントボロンとリンの同時活性化
  • 深い領域の活性化
  • 深い領域の溶融、再結晶、欠陥低減
  • 低温熱処理